近日，K云体育官方入口王传奎教授团队在自然指数期刊《Physical Review B》上发表了题为“Van der Waals multiferroic tunnel junction with giant tunneling electroresistance and magnetoresistance toward bidirectional photoresponse and photoassisted memory”的研究论文。山东师范大学为唯一论文署名单位，博士研究生羊志为第一作者，李宗良教授和青年教师邱帅为通讯作者。

范德华多铁隧道结兼具显著隧穿电阻(TER)和隧穿磁阻(TMR)的高阶多态，是多功能信息存储的重要体系。基于第一性原理计算，作者提出了一种由铁电极化场驱动的能带结构位移诱导的多界面肖特基和欧姆接触转换机制，可以显著提高多铁隧道结性能。随后设计的Cu/CoGa₂Se₄/bi- Ga₂Se₃/CoGa₂Se₄/Cu 多铁隧道实现高达5.43 × 10⁴%的TER和1.16 × 10³%的TMR，同时区域电阻低至0.1 Ω µm²。由于双层Ga₂Se₃表现出铁电可调的Ⅱ型和简并的能带排列，设计的多铁隧道在铁电态下表现出双向光响应，分别为23.3和-23.3 mA/W，而在反铁电态下光响应几乎为零。强和弱的光响应分别适用于编码二进制信息“1”和“0”，实现光辅助存储和逻辑功能。本研究为纳米级光电信息存储提供了通用的物理模型。

以上研究获得国家自然科学基金、山东省自然科学基金项目的资助。

论文链接：https://doi.org/10.1103/9m1x-q7dn